通过上面 3.2.3 分析可知， T-coil 有 4 个电路参数以 ξ 表达出来， 分别是 L1、 L2、 K、
CB。当 ξ 已知后， 这几个参数被确定， T-coil 必须围绕这几个参数进行综合。
那么在综合 T-coil 时， 有多个参数需要同时准确的优化到值。 比如 L1、 L2 需要调
整结构外径和圈数， 而耦合因子 K 需要调整线间距和线宽。 多个参数的调整优化， 对综
合带来很大困难， 需要有专业的 IC EM 软件完成。
业界的 Peakview EM 软件， 提供优化功能， 并具备多物理参数扫描功能， 帮助 T-coil 设
计中多参数目标值的合成， 为设计创建 T-coil 模型提供便利
在差分电路设计中， 可以将两个 T-coils 与其他差分网络连接。 例如下图中， 利用交叉耦
合对实现的负电容设计网络， 其输出和 2 个负载电容并联。对于这种情况可以按照差分形式
分别接 2 个 T-coils 进行带宽提升。
在时间响应上， 为了避免明显的过程问题， 常常选择 CN=CB/4。
虽然 T-coil 慢慢替代以往 inductive peaking 技术， 来提升电路带宽（比如 IO 接口）。但
理想的 T-coil有自身电路缺陷和应用局限性。本节讨论几种优化方案来改进 T-coil的实用性，
并给出一些电路结构来进一步提升电路带宽（和理想 T-coil 比较）。
随着数据链路和内存链路的不断发展， 芯片之间的 IO 接口速度已超出 10GB/s。 但信号
带宽受到 IO 电容的严重影响， 为了消除 IO 电容造成的信号损耗， 原始的方案是使用高灵
敏度接收单元或者增添均衡器， 但这样会增加额外电路成本和功耗， 所以降低 IO 电容是一
个研究方向。
IO 电容有多个组成部分， 占比的是 ESD 结构电容（因为要提供满足要求的 ESD 容
限，导致电容较大），为了满足 2KV HBM 和 500V CDM 等 ESD 设计要求， ESD 电容很难做小，
例如， 将其降到 0.4pF 非常困难。
除了 ESD 电容外， 金属走线、 有源器件、 开关等的寄生电容对 IO 电容也有贡献， 因此，
将 IO 电容控制在 1PF 是比较困难的