射频集成电路设计设计非常复杂，难度很大，EM软件的使用不仅要与其他EDA软件衔接，还要准确导入制成工艺信息，电磁sim的设置也需要考虑很多专业问题，因此非常需要专业人员的指导。

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分类方式

我们先看一下分类方式，在国际半导体的统计中，半导体产业只分成四种类型：集成电路，分立器件，传感器和光电子。所有的国际半导体贸易中都是分成这四类。关于这四类，撸主原来写过单独一篇文章，请戳这里《分立器件，传感器和光电子，这哥儿仨是什么鬼》。在这一期我们就简单的说一下。

我们上面说的这四类可以统称为半导体元件。其中集成电路（Integrated Circuit， 简称IC），又叫做芯片（chip），所以说集成电路，IC，芯片，chip这四个名字都是指一个东西。但是，在我们通常的新闻中，没有分的这么清楚，他们会把半导体元件统统叫做集成电路（比如也会把分立器件也叫做IC，芯片），所以大家要根据前后文的意思来判断文章想表达的是哪一类。

像苹果A系列，高通骁龙系列，华为麒麟系列的芯片，晶体管数量达到了上亿，几十亿的级别。但是分立器件中的晶体管数量就比较少，极端情况下，一颗元件只有一个晶体管。比如很多公司生产的肖特基二极管，IGBT，MEMS等等（当然MEMS现在也会和集成电路集成在一起，很多分立器件的晶体管也不是上图这个样子的）。

虽然这些分立器件的集成度低，但是他们也有一些优点，比如适应的环境更加恶劣，能够满足更高电压的需求等等。

在 T-coil 的宽度应用中，除了上面对设计优化的考虑外，一些 T-coil 自身问题也需要在

设计中关注并解决。

（1） 片上 T-coil 往往占据顶层金属大量面积，而在顶层电源布线以及非常紧张了，传输线 mom算法，

所以大面积的 T-coil 对顶层设计非常不利；同时，大面积的 T-coil 不仅影响面积

使用率，而且会产生大量功耗。如果不解决大面积 T-coil 问题，想利用 T-coil 设

计多个高速 IO 口的想法将无法实现。

（2） T-coil 也存在可靠性问题。对于 ESD 结构中的 T-coil 也涉及到 ESD 电流路径， Tcoil 自身的串联电阻会引起较低的 ESD 抵抗力，高功耗会破坏 T-coil（尤其在 Tcoil 的一些突变拐角处，很容易受到 ESD 破坏）。另外，如果 IO 电路在常规模式

是大电流情况时， T-coil 可能会由于电迁移导致破坏。为了提升 T-coil 可靠性，

需要设计较宽的金属走线，这又使得 T-coil 面积增加了。

下面几个例子，讨论如何提升 T-coil 可靠性，同时又减小面积：